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先進封裝:誰是(shì)赢家(jiā)?誰歌媽是(shì)輸家(jiā)?
近(jìn)年來,因爲傳統的(d嗎有e)晶體(tǐ)管微(wēi)縮方法走向了(南算le)末路(lù),于是(shì)産亮著業(yè)便轉向封裝尋求提升芯片性農就能的(de)新方法。例如(rú)近(也知jìn)日(rì)的(de)行(xíng)業內老(yè)熱(rè)點新聞《打破Chiple放門t的(de)最後一(yī)道屏障,全新互聯為離标準UCIe宣告成立》,可以說(shu門農ō)把Chiplet和先進封裝的(de)熱(短吃rè)度推向了(le)又一(y短裡ī)個新高峰?


那(nà)麽爲什(shén)麽我了呢們需要先進封裝呢(ne)?且看村麗(kàn)Yole解讀(dú)朋能一(yī)下(xià)。
來源:半導體(tǐ)行(xíng)業(yè)觀察 | 作者:sophie | 發布時間: 2022-03-07 | 3489 次浏覽 | 分(fēn)享到(dào):

爲什(shén)麽我們需要高性能封裝我不?


随著(zhe)前端節點越來越小,設計(j紅銀ì)成本變得(de)越來越看這重要。高級封裝 (AP) 解決方案通過降低成本購你、提高系統性能、降低延遲、增加帶下家寬和電源效率來幫助解決這些(慢站xiē)問題。
高端性能封裝平台是(shì) UH們開D FO、嵌入式 Si 橋、湖鄉Si 中介層、3D 堆棧存儲器和 3DSoC。請煙嵌入式矽橋有兩種解決方案:台積電的(de) 動問LSI 和英特爾的(de) EMIB。對于他場Si interpose廠畫r,通常有台積電、三星和聯電提供的(de紅視)經典版本,以及英特爾的(de)Fover頻到os。EMIB 與 Fovero不厭s 結合産生(shēng)了(le) 鐵朋Co-EMIB,用于 Intel 的(de) 些外Ponte Vecchio。同時,電作3D 堆棧存儲器由 HBM、3DS 和 喝一3D NAND 堆棧三個類别表示。兒火
數(shù)據中心網絡、高性能計(jì)算和自(對鄉zì)動駕駛汽車正在推動高端性能封裝的(章煙de)采用,以及從(cóng)技(相紅jì)術(shù)角度來看(kàn道視)的(de)演變。今天的(de)趨勢是(shì見雜)在雲、邊緣計(jì)算和設備級别擁有更大對還的(de)計(jì)算資算業源。因此,不斷增長的(de)需求正在推動高大匠端高性能封裝的(de)采用。
高性能封裝市(shì)場(ch票車ǎng)規模?

據Yole預測,到(dào)裡鄉 2027 年,高性能封裝市(shì)場(ch匠歌ǎng)收入預計(jì)将達到(dào計花)78.7億美元,高于 2021 年的(de)愛信27.4億美元,2021-紅去2027 年的(de)複合年增村男長率爲 19%。到(dào)窗道 2027 年,UHD FO、HBM、3DS 身身和有源 Si 中介層将占總市(shì林我)場(chǎng)份額的(de) 50% 以上,路計是(shì)市(shì)場(chǎng)增化你長的(de)最大貢獻者。嵌入式 Si 橋、3民得D NAND 堆棧、3D SoC 和 H女問BM 是(shì)增長最快(kuài)的(de呢紙)四大貢獻者,每個貢獻者的東這(de) CAGR 都大于這白 20%。
由于電信和基礎設施以及移動和消費照費(fèi)終端市(shì)場(自明chǎng)中高端性能應用程序校兒和人工智能的(de)快(kuài友嗎)速增長,這種演變是(shì)可能的(d一中e)。高端性能封裝代表了(聽畫le)一(yī)個相對較小的(現慢de)業(yè)務,但(dàn)對半導你務體(tǐ)行(xíng)業(yè拍都)産生(shēng)了(le)巨大的(de)們說影響,因爲它是(shì)幫助滿足那玩比摩爾要求的(de)關鍵解決方案之謝看一(yī)。

誰是(shì)赢家(jiā),誰是(拍她shì)輸家(jiā)?

2021 年,頂級參與者爲一(yī)攬子東在活動進行(xíng)了(l書服e)大約116億美元的(de)資本支出投資,因月很爲他們意識到(dào)這對于對抗摩爾定律放緩請個的(de)重要性。
英特爾是(shì)這個行(xíng)業(yè)的海藍(de)最大的(de)投資者,指出了(窗麗le)35億美元。它的(de) 3D 芯們家片堆疊技(jì)術(shù)是(sh暗可ì) Foveros,它包括在物場有源矽中介層上堆疊芯片。嵌入式多(信飛duō)芯片互連橋是(shì)筆作其采用 55 微(wēi)米凸塊間距的(de海上) 2.5D 封裝解決方案報姐。Foveros 和 EMIB 的(de)結合誕話歌生(shēng)了(le) Co-EM草化IB,用于 Ponte Vecchi男器o GPU。英特爾計(j少綠ì)劃爲 Foveros Direct 采用混靜機合鍵合技(jì)術(sh視雜ù)。
台積電緊随其後的(de)麗草是(shì) 30.5億美元的(de)資林不本支出。在通過 InFO 解費國決方案爲 UHD FO 争愛鄉取更多(duō)業(yè)務的(de唱錯)同時,台積電還在爲 3D SoC 定義新費得的(de)系統級路(lù)線圖和技(jì)術(s制但hù)。其 CoWoS 平台提供 RDL 或喝們矽中介層解決方案,而其 LSI 平高玩台是(shì) EMIB 的(d水說e)直接競争對手。台積電已成爲高端封裝巨頭,如他擁有領先的(de)前端先進節點,可以主大月導下(xià)一(yī)代系統級封裝。
三星擁有類似于 CoWo務了S-S 的(de) I-Cube 技(jì)刀和術(shù)。三星是(shì) 器飛3D 堆棧内存解決方案的(de)領導者之一(y藍北ī),提供 HBM 和 3DS。其 X-Cub低議e 将使用混合鍵合互連。
ASE 估計(jì)爲先就體進封裝投入了(le) 20 億美元的(de)票通資本支出,是(shì)最大也是(shì)唯火服一(yī)一(yī)個試圖與代工廠和頻聽 IDM 競争封裝活動的(de) OS但從AT。憑借其 FoCoS兒喝 産品,ASE 也是(shì)目前唯一(yī姐身)具有 UHD FO 解決方案做中的(de) OSAT。
其他OSAT 不具備在先進裡到封裝競賽中與英特爾、台積電和三星等大公司山人并駕齊驅的(de)财務和前端能力。會自因此,他們是(shì)追随者。窗可